郝跃长期从事宽禁带半导体新型材料与器件、微纳半导体器件、高可靠性集成电路等方面的科研和人才培养工作。 国家重大基础研究（973）计划项目首席科学家、国家有突出贡献中心首席科学家。 微电子技术领域的青年专家和著名专家。 在氮化镓/碳化硅第三代（宽禁带）半导体功能材料与微波器件、半导体短波长光电材料与器件的研究与推广、微电子可靠性与失效机制研究等方面取得了系统成果。纳米 CMOS 器件。 创新成果。

教学科研成果：主持科研成果获国家发明奖二等奖1项，国家科技进步奖二、三等奖各1项； 省部级科技成果一、二等奖十余项； 并获得国家发明专利授权三十余项； 发表《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》、《碳化硅宽禁带半导体技术》、《集成电路制造动力学理论与方法》和《微纳CMOS器件可靠性与失效机理》等多部著作，并发表在国内外著名期刊发表学术论文500余篇；2010年荣获“何梁何利”科学技术奖。

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